Shop menü

512 GB-OS DDR5-7200 MHZ-ES MEMÓRIAMODUL A SAMSUNG MŰHELYÉBŐL

A friss fejlesztés több téren is komoly előrelépést hoz, igaz, ezzel nem a klienspiacot, hanem a szerverek szegmensét veszi célba a gyártó.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
512 GB-os DDR5-7200 MHz-es memóriamodul a Samsung műhelyéből

A Samsung a Hot Chips 33 alkalmával lerántotta a leplet az iparág első olyan DDR5-ös memóriamoduljáról, amely 512 GB-os kapacitással rendelkezik és DDR5-7200 MHz-es effektív órajelen ketyeg. A korábbi DDR4-es memóriamodulokhoz képest az új DDR5-ös példány előnyei közé sorolható, hogy kétszer nagyobb kapacitással rendelkezik, valamint 40%-kal magasabb teljesítményt kínál, mindezt pedig 1,1 V-os üzemi feszültséggel karöltve tudja.

Galéria megnyitása

A nagy adattároló kapacitás elérésében kulcsszerepe volt az újfajta DDR5-ös memórialapkáknak, amelyeknél egy-egy chip belsejében összesen 8 darab lapkát rétegeztek egymásra, ezek között pedig TSV-k (Through-Silicon-Vias) teremtenek kapcsolatot. Ezt a technológiát persze már a DDR4-es memóriachipeknél is bevetették korábban, ám ott még csak négy darab lapkát lehetett egymásra rétegezni egyetlen chipen belül.

Galéria megnyitása

Annak ellenére, hogy a nyolcrétegű DDR5-ös memóriachipek sokkal nagyobb adatsűrűséggel és kapacitással rendelkeznek, mégis alacsonyabbak, mint négyrétegű DDR4-es társaik: míg utóbbiaknál egy chip magassága 1,2 milliméter volt, addig a DDR5-ös megoldásoknál már csak 1 milliméter. Ezt úgy érték el, hogy csökkentették az egyes rétegek közötti távolságot, ami nem kevesebb, mint 40%-os magasságcsökkenést eredményezett a kész memóriachip esetében.

Galéria megnyitása

Az új memóriamodulok esetében SBR (Same-Bank Refresh) technológiát alkalmazott a gyártó, a DRAM busz esetében így akár 10%-os hatékonyságnövekedés elérésére van mód. Ezzel együtt a jelstabilitást is növelték, amelyben egy friss DFE (Decision Feedback Equalizer) segít. A memóriamodul tápellátásáról a fedélzeti PMIC (Power-Management IC) felel.

Galéria megnyitása

Ez egyrészt segít az üzemi feszültség csökkentésében is, másrészt pedig a zaj csökkentésében is szerepet játszik, azaz tisztább tápellátást kaphatnak a chipek. Ahogy az várható volt, természetesen ODECC (On-Die Error-Correction Code) támogatás is rendelkezésre áll, ami a megbízható és biztonságos adatkezelés záloga.

Galéria megnyitása

Az 512 GB-os DDR5-7200 MHz-es memóriamodul természetesen nem a konzumerpiacot, hanem a szerverek és adatközpontok világát veszi célba, ahol rengeteget tudnak profitálni a nagy memóriakapacitásból. Konzumer fronton várhatóan 64 GB-nál tetőzhet első körben a maximális memóriamodul-kapacitás, ami mindenképpen előrelépés, hiszen jelenleg a DDR4-es moduloknál jelenleg még csak 32 GB az egy modulra jutó maximális kapacitás. A DDR5 érában várhatóan akár 256 GB-nyi fedélzeti memóriával is felvértezhetőek lesznek az asztali kliensplatformok, és ehhez nem kell HEDT szintben gondolkodni.

Galéria megnyitása

A DDR5-ös memóriamodulok térhódítása már idén megindulhat, ám a kereskedelem fő áramát majd csak később, valamikor 2023-ban, illetve 2024-ben hódíthatják meg, legalábbis a Samsung illetékesei egyelőre így számolnak. Az első olyan kliensplatform, amely már DDR5-ös memóriatámogatással érkezik, az Intel Alder Lake processzorai köré épül, ennek rajtjára pedig már idén ősszel sor kerülhet, talán a Windows 11 debütálásával egy időben, ugyanis az új operációs rendszert alaposan hozzáigazították az Intel érkező hibrid processzoraihoz.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére