Az Intel és a Micron szakemberei egy különleges előadás keretén belül bemutatták legújabb fejlesztésüket, a 3D Xpoint memória technológiát, ami több szempontból is jelentős előrelépést képvisel. Az Intel alelnöke, Rob Crooke, illetve a Micron elnöke, Rob Adams szerint az új eljárás a NAND Flash 1989-es bejelentése óta a legnagyobb technológiai mérföldkőnek tekinthető a memóriapiacon. Nem kis szavak ezek, úgyhogy lássuk, miért is jó a 3D XPoint memória.

A 3D XPoint, azaz a 3D keresztpontos architektúra elnevezés mögött hatalmas teljesítményű, nagyon nagy adatsűrűséget kínáló, nem-illékony, azaz nem felejtő memóriatípus húzódik, amelynek legfőbb célja, hogy minél több adat helyezkedhessen el egy adott rendszerben a processzorhoz lehető legközelebb. Az új memóriatípus napjaink NAND Flash memóriachipjeihez képest akár ezerszer gyorsabb és akár ezerszer strapabíróbb is lehet. A DRAM memóriachipekhez képest a 3D Xpoint tízszer nagyobb adatsűrűséget kínál, viszont velük ellentétben nem-illékony, azaz tápellátás nélkül is megőrzi tartalmát. Az első 3D XPoint megoldások 128 Gb-es kapacitású, két rétegből álló chipek formájában érkeznek, de a kapacitás hamar növekedésnek indul, ahogy egy-egy chip egyre több réteget kezd alkalmazni. A rétegek számának növelését viszonylag egyszerűen, hagyományos litográfiai eljárások alkalmazásával lehet megoldani.

A 3D XPoint memóriatechnológia lényege, hogy egy-egy memóriachipben több rétegnyi, önállóan hozzáférhető cella helyezkedik el az egymásra merőleges vezetékek, azaz a bit- és a szóvonalak metszéspontjaiban, amelyekhez kapcsolórendszer is társul, így a rögzítés és a kiolvasás hatékonyan, gyorsan megoldható. Az egymásra merőleges vezetékek gyakorlatilag 128 milliárd sűrűn elhelyezkedő memóriacellát kötnek össze, a keresztpontos architektúra köré épülő megoldások pedig háromdimenziós tömböt alkotnak.

A jelenlegi memóriatechnológiákkal ellentétben a 3D XPoint nem elektronok csapdába ejtésével tárolja az információt, hanem a memóriacella anyagának tulajdonság-változását használja e célra. Ez a változás a memóriacella teljes anyagára kiterjed. Az innovatív megoldás jóvoltából a memóriacellák rövidebbek lehetnek, valamint szorosabban egymás mellé és fölé lehet helyezni őket, ami rendkívül jótékonyan hat az adatsűrűség alakulására. A memóriacellákhoz az egyes kiválasztók feszültségének módosításával lehet hozzáférni, illetve így lehet őket írni/olvasni. Ez szükségtelenné teszi a tranzisztorok alkalmazását, ezzel is tovább növelve a kapacitást és csökkentve a költségeket.

Az Intel és a Micron szerint az újítás elsősorban a nagy teljesítményigényű alkalmazások és a nagy adatmennyiséggel dolgozó rendszerek esetében lehet kiemelten előnyös – ezeken a területeken nagyon hasznos tud lenni, ha a processzorhoz minél közelebb, minél nagyobb adattároló kapacitású tárhely helyezhető el.

A 3D Xpoint a DRAM szintű sebesség és a nem-illékony jellegű működés miatt idővel a mobileszközök rendszermemóriáját is helyettesítheti, ahol a nem-illékony memóriatípus jóvoltából hosszabb akkumulátoros üzemidőre lehet berendezkedni.

Mind az Intel, mind pedig a Micron készít majd 3D XPoint alapú termékeket, amelyek első mintapéldányait még idén megkaphatják a kiválasztott vásárlók.