Shop menü

30 NM-ES, 2 GB-OS LPDDR3-AS MEMÓRIA SAMSUNG MÓDRA

A Samsung megkezdte a piac első olyan 30 nm-es osztályú csíkszélességet alkalmazó LPDDR3-as memóriachipjének sorozatgyártását, amely nem kevesebb, mint 2 GB-nyi kapacitással bír.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
30 nm-es, 2 GB-os LPDDR3-as memória Samsung módra

Az esemény komoly mérföldkőnek számít, ugyanis jelenleg csak a Samsungnál találunk 30 nm-es osztályú gyártástechnológiával készülő 2 GB-os LPDDR3-as memóriachipet, amely a következő generációs okostelefonok és táblák esetében a cég reményei szerint meghatározó szerepet tölt majd be.

Érdekesség, hogy a Samsung 2011 októberében kezdte meg a piac első olyan LPDDR2-es memóriachipjének sorozatgyártását, amely 30 nm-es osztályú gyártástechnológiát alkalmazott és ugyancsak 2 GB-nyi kapacitással bírt. Nagyjából 10 hónappal ezután a szóban forgó LPDDR3-as újdonság sorozatgyártása is megindult, azaz elmondható, hogy a vállalat mérnökei egy percig sem tétlenkednek.

Galéria megnyitása

A 2 GB-os LPDDR3-as memóriachip egyféle kiszerelésben érhető el. A helytakarékos tokozással érkező LPDDR3-as memóriachip belsejében nem kevesebb, mint négy darab LPDDR3-as lapka foglal helyet, amelyek együttesen 2 GB-os kapacitást biztosítanak. A gyártó állítása szerint a friss chip csatlakozólábanként akár 1600 megabitnyi adatot is képes továbbítani egyetlen másodperc leforgása alatt, azaz nagyjából 50%-kal gyorsabb LPDDR2-es alapokon nyugvó elődjénél.

Az új LPDDR3-as memóriachip különösen jól jön majd a következő generációs okostelefonok és táblák esetében, amelyek gyors processzorral és nagyfelbontású LCD kijelzővel érkezhetnek. A memóriachipek sebességéből 3D-s tartalmak futtatásakor is profitálhatnak majd a különböző rendszerek.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére