A Samsung a legfrissebb hírek szerint 2024 folyamán kezdheti meg következő generációs 3D V-NAND Flash memóriachipjeinek gyártását, amelyek immár 300-nál is több cellaréteggel rendelkezhetnek. A Seoul Economic Daily információi szerint a 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek várhatóan nem három cellatömbből állnak majd, mint az SK Hynix nemrégiben bemutatott, 321 cellarétegből felépített 3D NAND Flash memórialapkái, hanem csak kettőből, sorozatgyártásuk pedig akár már a következő esztendő első felében is elindulhat. Az SKY Hynix fejlesztéséről időközben egyébként az is kiderült, milyen gyors lesz, a Samsung érkező memórialapkáival kapcsolatban azonban egyelőre nem állnak rendelkezésre efféle információk.
Az egyelőre nem derült ki, hogy a következő generációs Samsung 3D V-NAND Flash memóriachipek pontosan hány cellarétegből állnak, csak annyi tűnik biztosnak, hogy két cellatömbből áll majd egy-egy lapka. A két cellatömbből álló 3D V-NAND memórialapkák első képviselői 2020 folyamán, a 7. generációs 3D V-NAND Flash sorozat részeként mutatkoztak be, méghozzá 176 cellarétegből álló megoldásként. Ennél a módszernél az első cellatömböt egy 300 milliméteres átmérőjű szilícium-ostya formájában készítik el, majd a másodikat cellatömböt az elsőre rétegezik, így létrejön a „kétemeletes” chip, amivel elérhető a végső cél, már ami a cellarétegek számát illeti.
A 300-nál is több cellarétegből álló 3D V-NAND Flash lapkák segítségével jelentősen növelhető lesz az egy szilícium-ostya segítségével legyártható adatsűrűség, ami segíteni fog az SSD meghajtók és SSD kártyák adattároló kapacitásának növelésében, valamint költséghatékonyabb is lehet a dizájn, ami olcsóbb SSD-k építését teszi lehetővé.
Ezzel egy időben az SK-Hynix egy kis lemaradásban lesz, hiába jelentették be elsőként az iparág első olyan 3D NAND Flash memórialapkáját, ami 300-nál több cellarétegből áll, ennek sorozatgyártása ugyanis majd csak 2025 folyamán indulhat meg. A három cellatömbből felépített memórialapkák esetében három különálló 3D NAND Flash réteg elkészítésére lesz szükség, ami a Samsung megoldáshoz képest növeli a gyártási lépések számát, illetve a nyersanyag-felhasználást is, viszont cserébe magasabb lehet a kihozatali arány a kevésbé bonyolult, azaz kevesebb cellaréteget tartalmazó tömbök miatt.
A későbbiekben várhatóan a Samsung is áttér majd a három cellatömbből álló dizájnra, ám erre majd csak a 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipeknél kerülhet sor, amelyek várhatóan 430 cellarétegből állnak, legalábbis az eddig kiszivárgott útiterv erről árulkodik. A Samsung hosszabb távú tervei között szerepel, hogy 2030-ra az 1000 cellaréteges szintet is elérik, erről még a tavaly októberi Samsung Tech Day 2022 alkalmával beszéltek a vállalat szakemberei.