A Samsung számára a memóriapiac sokat adott az utóbbi időben a bevétel szempontjából, de a vállalat is sokat ad a piacnak azért, hogy ezt elérje. A folyamatos fejlesztések eredményeként már arról számolhatunk be, hogy elindult a tömegtermelése a 10 nm-es osztályú EUV eljárással gyártott, 16 Gb LPDDR5 DRAM-oknak.
A Samsung továbbra sem viszi le 10 nm alá a memóriamoduloknak az előállítását, viszont az EUV eljárást elkezdte használni a harmadik generációs 10 nm osztályú csíkszélességnél, amire a vállalat „1z” jelöléssel hivatkozik. Gyártott már korábban a Samsung 16Gb-es DRAM-ot alacsony fogyasztású környezethez optimalizálva, de azt még LPDDR4x alapon alkotta meg, LPDDR5 technológia mellett ez teljesen új a gyártó és az egész ágazat számára.
„Az 1z alapú, 16 Gb-es LPDDR5 új küszöbértékre emeli az ipart, leküzdve egy jelentős fejlesztési akadályt, ami a DRAM-méretezésének szabott gátat a fejlett gyártási eljárások mellett” – mondta Jung-bae Lee, a Samsung DRAM termékekért és technológiákért felelős kiemelt vezetője. „Továbbra is bővítjük prémium DRAM kínálatunkat, hogy meghaladjuk az ügyfelek igényeit, és ezzel vezető szerepet töltsünk be a memóriapiac további növekedésének megalapozásában.”
Az új LPDDR5 memóriamodulok esetében a teljesítményre már biztosan nem lehet panasz. Ahogy azt korábban már szintén a Samsungnál, a 8 Gb-es LPDDR5 moduloknál is lehetetett látni, 6400 Mb/s-os sávszélesség lesz itt elérhető. Ez 16 százalékkal gyorsabb, mint a 2019 decemberében bemutatott 12Gb+8Gb LPDDR5 hibrid összeállítás tempója, az ugyanis „csak” 5500 Mb/s-ra képes.
A 16 Gb-es LPDDR5 modulokból a Samsung elmondása szerint már egészen egyszerűen kihozható a 16 GB-os kapacitással szolgáló rendszermemória, és a fejlesztésnek ez volt az elsődleges célja. Tehát ez a megoldás segíti majd az okostelefonokba sűrített RAM tovább növekedését. Eddig az 1y generációs gyártási eljárással készített 12Gb+8Gb LPDDR5 modulokból 12 chipet kellett felhasználni, míg itt már csak 8 chipre lesz szükség. A kapacitás ugyanakkora lesz, a sávszélesség pedig még emelkedik is.
Az 1z eljárással gyártott memóriamodulok csomagja elvileg 30%-kal lesz vékonyabb, mint az 1y esetében volt. Ezáltal a mobilok is még kompaktabbak lehetnek, illetve a tervezőknek egyszerűbbé válik a feladata a komponens elhelyezésekor.
A Samsung kiemelte, hogy ez már olyan termékekbe lett tervezve, amelyeknél biztosított egyebek mellett az 5G technológia is, és rendkívül fejlett kamerarendszerrel rendelkeznek, ahol elengedhetetlen a komoly sávszélesség biztosítása az adatok mozgatása során. Előre láthatólag 2021-es okostelefonokban fog már csak ez felbukkanni. És idővel nemcsak mobilokban, hanem gépjárművekben és más környezetekben is felbukkanhat.
A Samsung a memóriával kapcsolatos hír mellett arra is kitért, hogy a Phjongthekben található félvezető gyárában sikeresen elindította a második gyártósort. Az új létesítmény közel 130 ezer km2 területen foglal helyet, vagyis kb. 16 focipályával vetekszik a mérete. Ez azért érdekes, mert ez lett a világ legnagyobb méretű félvezető gyártósora.
A phjongtheki kettes számú gyártósoron a Samsung elképesztő mennyiségű terméket lesz képes előállítani, innen érkeznek a következő generáció V-NAND lapkák, és egyebek mellett a csúcskategóriás, vezető technológiákat alkalmazó DRAM-ok előállításában is kiemelkedő szerepe lesz ennek. Nem meglepő módon a16Gb-es LPDDR5 DRAM is itt készül. A vállalat ezzel az egységgel szeretné megerősíteni a piacvezető pozícióját.
