A dél-koreai memóriagyártók, azaz a Samsung és az SK hynix műhelyében már gőzerővel készülnek a következő generációs mobil memóriachipek, amelyek a 6. generációt képviselik majd az LPDDR családon belül (Low-Power Double Data Rate). Az LPDDR 6 szabvány köré épülő memóriachipek számos előrelépést hoznak korábbi társaikhoz képest, egyebek mellett sebesség terén is. A dél-koreai memóriagyártók által elkészített új példányokat a rövidesen induló ISSCCC 2026 rendezvény alkalmával mutatják be hivatalosan, de már most is tudható, milyen újdonságokkal rukkol majd elő a Samsung és az SK hynix.
A Samsung háza tájáról 16 Gb-es kapacitású LPDDR6-os memóriachipek érkeznek a konferenciára, amelynek San Francisco városa ad helyet. Ezek a memóriachipek a vállalat 12 nm-es osztályú gyártástechnológiájával készülnek, maximális sebességük pedig 12,8 Gbps lesz, ami a néhány héttel ezelőtt bemutatott 10,7 Gbps-os modellekhez képest jókora előrelépést jelent. A Samsung szerint az új memóriachipek energiahatékonyság terén 21%-nyi előrelépést hoznak LPDDR5X sorozatú társaikhoz képest, valamint memória-sávszélesség terén is magasabbra emelik a lécet. Ezek a memóriachipek NRZ kódolást használnak az I/O jelek esetében, amihez 12DQ típusú alcsatorna társul.
Az SK hynix ezzel egy időben ugyancsak 16 Gb-es kapacitású, de már 14,4 Gbps-os tempóra is képes LPDDR6-os memóriachipek bemutatására készül, amelyekkel már most eléri a JEDEC szabványban lefektetett legmagasabb sebességet. Ezek a memóriachipek a vállalat 1γ gyártástechnológiájával készülnek, vagyis a hatodik generációs 10 nm-es osztályú csíkszélességet használhatják.
Az LPDDR6-os memóriachipek energiahatékonyabban működhetnek, mint előző generációs társaik, hála a DVFS, azaz a Dynamic Voltage Frequency Scaling technológiának, ami háromféle sávot kínál: DVFSH (High), DVFSL (Low), illetve DVFSB (VDD2D). A korábbi LPDDR5 és LPDDR5x alapú megoldásoknál csak két sáv állt rendelkezésre (high/Low), ezáltal az újdonságok jobban igazodhatnak az aktuális igényekhez. Fontos változás továbbá, hogy az új memóriaszabvány esetében a memóriachipek most már adatcsomagokba integrált metaadatokkal működhetnek, nincs szükség külön dedikált érintkező használatára a metaadatok továbbításához, amit régóta kértek az iparági szereplők.
Az új memóriachipeknél most először nyílik lehetőség arra is, hogy a Row Hammer jellegű támadásokkal szemben fokozottabb védelmet kínáljanak, ugyanis az újdonságoknál mind a kiszolgáló, mind pedig a DRAM követni fogja a sorok aktiválásának számát, ezáltal hatékonyan csökkenhetőek az említett támadásforma jelentette veszélyek. Az LPDDR6-os memóriachipek kapacitása 4 GB-tól egészen 64 GB-ig terjedhet a szabvány szerint, maximális sebességük pedig 14,4 Gbps lehet, azaz 50%-kal magasabb, mint amit az LPDDR5x típusú chipeknél megszokhattunk.
Az új memóriachipekkel és az egyéb fejlesztésekkel kapcsolatban a rövidesen induló International Solid-State Circuits Conference 2026 alkalmával érkezhetnek további információk.
