A Micron Technology fontos előrelépést ért el NAND Flash fronton, ugyanis elkészültek a 4. generációs 3D NAND Flash lapkák első tesztpéldányai, amelyek a dizájn életképességét bizonyítják. A lapkák alapvetően továbbra is a CMOS-under-array felépítést alkalmazzák, viszont a tranzisztorok esetében már nem az FG (FLoating Gate), hanem az RG (Replacement Gate) technológiára támaszkodnak. Az RG technológiát a Micron saját maga, egyedül fejlesztette ki, célja pedig az volt vele, hogy csökkenhessen a lapkaméret, illetve a lapkák előállítási költsége is, ezzel együtt viszont javul a teljesítmény, a következő generációs gyártástechnológiákra pedig könnyebb lesz átállni.

A 128 cellaréteggel rendelkező 4. generációs 3D NAND Flash lapkák sorozatgyártása várhatóan 2020 folyamán kezdődik, a 2021-es pénzügyi év folyamán pedig már nagyobb hatásuk lesz a vállalati mérleg alakulására, így érezhető költségcsökkenést hozhatnak gyártási kiadások terén.

A 4. generációs 3D NAND Flash lapkákat később az 5. generáció váltja, amely már második generációs RG technológiára támaszkodik, a gyártási költségeket pedig még tovább csökkenti. Ez a technológia már szélesebb körben is szerephez juthat, vagyis nem csak kiválasztott termékkategóriákban tűnhet fel, hanem a teljes termékpalettán.