A Micron Technology fontos előrelépést ért el NAND Flash fronton, ugyanis elkészültek a 4. generációs 3D NAND Flash lapkák első tesztpéldányai, amelyek a dizájn életképességét bizonyítják. A lapkák alapvetően továbbra is a CMOS-under-array felépítést alkalmazzák, viszont a tranzisztorok esetében már nem az FG (FLoating Gate), hanem az RG (Replacement Gate) technológiára támaszkodnak. Az RG technológiát a Micron saját maga, egyedül fejlesztette ki, célja pedig az volt vele, hogy csökkenhessen a lapkaméret, illetve a lapkák előállítási költsége is, ezzel együtt viszont javul a teljesítmény, a következő generációs gyártástechnológiákra pedig könnyebb lesz átállni.
Az első generációs RG technológia a 4. generációs 3D NAND Flash lapkák fedélzetén mutatkozik be, amelyek maximum 128 cellaréteggel rendelkezhetnek, azaz komoly előrelépést képviselnek az aktuális, 96 cellaréteggel ellátott megoldásokhoz képest. Az első generációs RG technológiát egyébként csak bizonyos termékcsaládokhoz használja majd a vállalat, vagyis messze nem lesz annyira elterjedt az alkalmazása, mint a 96 cellarétegre támaszkodó megoldásoké. Éppen ezért vállalati szinten az új technológia miatt nem is igazán csökken az egy bitre jutó gyártási költség a következő év folyamán.
A 128 cellaréteggel rendelkező 4. generációs 3D NAND Flash lapkák sorozatgyártása várhatóan 2020 folyamán kezdődik, a 2021-es pénzügyi év folyamán pedig már nagyobb hatásuk lesz a vállalati mérleg alakulására, így érezhető költségcsökkenést hozhatnak gyártási kiadások terén.
A 4. generációs 3D NAND Flash lapkákat később az 5. generáció váltja, amely már második generációs RG technológiára támaszkodik, a gyártási költségeket pedig még tovább csökkenti. Ez a technológia már szélesebb körben is szerephez juthat, vagyis nem csak kiválasztott termékkategóriákban tűnhet fel, hanem a teljes termékpalettán.
