Az SK Hynix egy új, 10 nm-es osztályú gyártástechnológiával készített 8 Gb-es DDR4-es memórialapkát mutatott be, ami több szempontból is komoly előrelépésnek bizonyul előző generációs társához képest. A pontos gyártástechnológiát sajnos nem árulta el a vállalat, mindössze annyit említ a közlemény, hogy 1Y csíkszélességet alkalmaztak a lapkánál, ami a második generációs 10 nm-es osztályú technológiát takarja.

Csíkszélesség ide vagy oda, az teljesen biztos, hogy az új lapkából 20%-kal több fér el egy szilícium ostyára, mint elődjéből. Ráadásul az újdonság 15%-kal alacsonyabb fogyasztás mellett dolgozik, ami az akkumulátorral szerelt eszközök esetében kiemelten előnyös lehet, de egyéb területeken is jól jöhet a vele elérhető energiamegtakarítás.

Az SK Hynix újdonsága továbbfejlesztett tranzisztor struktúrát alkalmaz, ez segít az adathibák előfordulásának csökkentésében, ami természetes velejárója szokott lenni a csíkszélesség-csökkentésnek. Az új lapka az adathibák elleni harc és az alacsonyabb fogyasztás érdekében saját fejlesztésű Sense Amp. Control technológiát használ, amellyel az érzékelő erősítő teljesítményét sikerült megnövelni. Ezzel együtt alacsony fogyasztású tápáramkör is került az újdonságba, hogy minél inkább csökkenteni lehessen a szükségtelen fogyasztás mértékét. A stabilitásra és a teljesítményre a „4-Phase Clocking” séma gyakorol jótékony hatást.

Az új lapka a PC és a mobil szegmens mellett egyébként a szerverek piacát is meghódíthatja a nem is oly távoli jövőben.