A Samsung a memóriapiac meghatározó szereplőjeként folyamatosan innovatív megoldásokkal igyekszik előrukkolni azért, hogy a gyártók az általa előállított termékeknek szavazzanak bizalmat. Ezúttal arról számolhatunk be, hogy a vállalat 512 GB-os eUFS 3.1 lapkával állt elő a soron következő zászlóshajókhoz.
Természetesen a Samsung tisztában van azzal, hogy itt már extrém felhasználói igényeknek a kielégítéséről beszélhetünk. A vállalat azt hozta példaként a friss termékénél, hogy ezzel már azt is meg lehet oldani, hogy stabil és gyors legyen a 8K videózás, és nagyra nőtt képeknek (például 108 megapixeles felvételeknek) a sorozatos mentése akár buffer nélkül is történhet. És mivel a beágyazható UFS 3.1 lapkának a kapacitása 512 GB, így itt igazából már arról sem lehet beszélni, hogy pillanatok alatt megtelne szélsőségesebb kihasználás esetén.
Az eUFS 3.1 chip az 512 GB-os kapacitással az előző generációs, 512 gigás, eUFS 3.0 egységgel összevetve sokkal gyorsabb írásra lesz képes. Gyakorlatilag egy másik dimenziót jelent a friss fejlesztés, hiszen a korábbi 410 MB/s-os írási tempó itt már 1200 MB/s-ra emelkedett. Ez azért is fontos, mert eddig még nem volt olyan megoldás, ami átlépte volna az 1 GB/s-os határt.
Az okostelefonokban lapuló tárhely ennek a friss fejlesztésnek köszönhetően már több mint kétszer nagyobb sebességet érhet majd el az írási műveletek során, mint azok a személyi számítógépek, amelyekben egy átlagos, SATA csatlakozási felülettel rendelkező SSD adattároló található. És több mint tízszer fürgébb lehet, mint az UHS-I interfészt kihasználó microSD memóriakártyák, amiket legtöbb esetben a mobilok bővítésére szoktak használni. Ezt a Samsung azért hozta példaként, hogy érzékeltesse, mennyire nem célszerű már a bővíthetőséggel élni, mert az a teljesítményt könnyen vissza tudja fogni.
A véletlenszerű írási műveletek száma nem emelkedett jelentősen az 512 GB-os eUFS 3.1-nél az elődhöz képest, 70 ezer IOPS-ra képes az egység a korábbi 68 ezer IOPS után. A véletlenszerű olvasási műveletek mennyisége viszont 60 százalékkal emelkedett 100 ezer IOPS szintre. De ezen a fronton meg a tempó nem változott az eUFS 3.0-hoz képest, maradt a 2100 MB/s-os olvasási maximum.
Az új adattároló az olyan kiemelkedő multimédiás lehetőségekkel kecsegtető rendszerchipek mellett, mint a Snapdragon 865, vagy amilyen az Apple A14 lesz, már nem feltétlenül túlzás ilyen adattárolónak a felhasználása. A mobilok az eUFS 3.1 révén nemcsak sorozatképeket rögzíthetnek szinte megállás nélkül, hanem talán az eddiginél nagyobb FPS számot is kihozhatnak a videós szuperlassítási funkciók esetében videózáskor. Ezeket a funkciókat általában a bufferek mérete szokta limitálni.
A Samsung a hivatalos közleményében kiemelte, hogy azért jött létre ez az egység, mert a vállalat elkötelezetten szeretné támogatni a rendkívüli tempóval növekedő keresletet a globális mobilpiacon. Bár valószínűleg a koronavírus-járványnak a hatását ez a szegmens is erősen meg fogja érezni a továbbiakban, ami a dél-koreaiak keresletét is visszavetheti. A Samsung nemcsak 512 GB-nyi kapacitással kínálja majd ezt a terméket, a későbbiekben lehet számítani szerényebb változatokra is 128 és 256 gigabájtos konfigurációkban.
Arról egyelőre nem beszélt a Samsung, hogy mikor kerülhet majd bevetésre a lapka, és hol lesz munkára fogva azon túl, hogy okostelefonban. Nem lenne meglepő, ha a cég házon belül a Galaxy Note szériában vonultatná majd fel az új eUFS 3.1 egységet, de akár a cég új hajtogatható mobiljában is felbukkanhat majd ez, ami a Galaxy Foldot váltja majd az év második felében.
A Samsung az ötödik generációs V-NAND lapkáknak a gyártását az új, Hszianban található során (X2) kezdi meg, és a cél az, hogy teljes mértékben képes legyen kielégíteni a felsőkategóriás okostelefonok piacán mutatkozó igényt. És még azt is elmondta a cég, hogy a phjongtheki gyárában pedig hamarosan váltani fog már az ötödik generációs V-NAND előállításról a hatodik generációs V-NAND gyártására.
