A Samsung már eddig is súlyos dollár-tízmilliókat fordított kutatás-fejlesztésre, illetve a gyártókapacitással kapcsolatos fejlesztésekre és bővítésekre, ám a vállalat a napokban bejelentette, a 2030-ig terjedő időszakban a korábban tervezett 115 milliárd dollárhoz képest sokkal nagyobb, 150 milliárd dollár körüli tőkebefektetésben gondolkodik. Ez az össze az LSI üzletág, illetve a félvezetőipari gyárak fejlesztésére mehet majd el, amiben technológiák és gyárak fejlesztése, illetve új üzemek építése is benne foglaltatik.

Az eredeti tervek alapján éves szinten 9,51 milliárd dollárt költött volna a dél-koreai óriásvállalat az említett területek fejlesztésére, ám azóta történt egy s más: nagy növekedési potenciállal kecsegtetnek bizonyos szegmensek, mint például a HPC, a mesterséges intelligencia, illetve az 5G is. Éppen ezért az éves tőkeberuházás mértékét 9,51 milliárd dollárról 15 milliárd dollárra emelték, ami az újabb fejlemények alapján elkészített hosszabb távú tervekhez remekül illeszkedik.

A Samsung egyébként az elmúlt évek során ebben a tekintetben a teljes félvezetőipari bérgyártói szegmenset lekörözte: mindenkinél többet költött az üzemek fejlesztésére és bővítésére. Csak az elmúlt év folyamán mintegy 28,1 milliárd dollárt költöttek a gyárakra, amelyekben 3D NAND és DRAM lapkák készülnek, az elkövetkező évek során ez az összeg pedig 30 milliárd dollár fölé nőhet, már ami a félvezetőiparban tevékenykedő divíziókkal kapcsolatos tőkeberuházás mértékét illeti. A Samsung célja egyebek mellett az, hogy a memória-üzletág által elért piacvezető pozíciót az új tőkeberuházásokkal bebetonozza.

Érdekesség, hogy a vállalat ezzel egy időben egy új üzem építését is bejelentette, amely Dél-Koreában, Pyeongtaek mellett helyezkedik majd el. Ez az üzem EUV levilágítást használhat a legmodernebb gyártástechnológiák részeként, de az igazi különlegesség mégsem ez, hanem az, mi minden készül majd ott. A Samsung eddig jellemzően külön üzemekben gyártotta a DRAM lapkákat, illetve a különböző egyéb chipeket, ám a P3-as üzem egy tető alá hozza a különböző termékek gyártását. Ez igazából költséghatékonyabb gyártást és a rendelkezésre álló termelőeszközök jobb kihasználtságát is eredményezheti, hiszen többféle lapkát is készítenek majd velük.

A P3-as üzem várhatóan 2021 második felében készül el, eleinte pedig 14 nm-es csíkszélességgel készülő DRAM lapkák, valamint 5 nm-es csíkszélességgel készülő SoC egységek termelésére használhatják. Az igazán fejlett csíkszélességeket – mind például a 4 nm-es és 3 nm-es gyártástechnológiákat – a tervek szerint eleinte csak a V1-es üzemben alkalmazza majd a gyártó, ez pedig Hwaseong területén található.