Shop menü

KÍNAI KUTATÓK ELKÉSZÍTETTÉK A VILÁG ELSŐ SZILÍCIUMMENTES 2D GAAFET TRANSZISZTORÁT – MINDEN EDDIGINÉL GYORSABB

A bizmut-oxiszelenid alapú fejlesztés az összes jelenlegi tranzisztornál gyorsabb és hatékonyabb, ami igen komoly fegyvertény, szélesebb körben történő alkalmazására azonban még bőven várni kell.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Kínai kutatók elkészítették a világ első szilíciummentes 2D GAAFET transzisztorát – Minden eddiginél gyorsabb

Egy kínai kutatócsapat a Pekingi Egyetemen igazán komoly áttörést ért el tranzisztortechnológia terén, ugyanis elmondásuk szerint megalkották a világ első olyan 2D GAAFET típusú tranzisztorát, amely nem tartalmaz szilíciumot, helyette bizmut köré épül és gyorsabb, mint szilícium-alapú társai. A kutatást Peng Hailin professzor és Qui Chenguang vezették, akik a csapat felfedezését már publikálták is a Nature virtuális hasábjain keresztül. A csapat egyes tagjai szerint az újítás lényegében monumentális áttörésnek tekinthető a félvezetőiparban, azaz óriási jelentőséggel bír, még ha nem is a közeljövőben kezdik el használni.

A kutatók szerint ez az új tranzisztor a világ leggyorsabb és leghatékonyabb megoldása ezen a területen. Az újfajta tranzisztor ostya-léptékű, több réteg egymásra rétegezéséből létrejövő egykristályos 2D GAAFET konfigurációban készült el, méghozzá Bi₂O₂Se, azaz bizmut-oxiszelenid felhasználásával, teljesen szilíciumtól mentesen. A kutatók úgy vélik, hogy ha a meglévő anyagok köré épülő chip-innovációkat a haladás során megteendő út levágásaként tekintjük, akkor az ő új fejlesztésük nagyjából azzal ér fel, mintha az út során teljesen új sávra váltanánk, annyira hatalmas a jelentősége.

A tesztek során a csapat összehasonlította az új, bizmut-oxiszelenid alapú tranzisztor teljesítményét az Intel, a TSMC, illetve a Samsung aktuális fejlesztéseivel, illetve sok egyéb más gyártó termékeivel is, majd arra jutottak, hogy az ő fejlesztésük mindegyiknél magasabb teljesítményt tud felmutatni ugyanolyan körülmények közepette.

Galéria megnyitása

Maga az új tranzisztor a máshonnan már ismert GAAFET technológia köré épül, ami a planáris FET és a FinFET után következő nagy fejlesztés, ezt több gyártó is használja, illetve használni fogja a 3 nm-es, illetve annál kisebb csíkszélességek esetében. Az innováció célja mindeddig az volt, hogy a tranzisztorok vezérlése minél hatékonyabban és gyorsabban történhessen. Míg a MOSFET esetében a kapu elektróda (gate) csak egyetlen ponton ért hozzá a forrás elektródához (source), addig a FinFet esetében utóbbi már három helyen érintkezett a kapu elektródával, a GAAFET esetében pedig, ahogy a Gate-All-Around kifejezés remekül szemlélteti, a kapu elektróda gyakorlatilag körbeveszi a forrás elektródát. A Samsung diája remekül meg is mutatja a különböző fejlesztések között tapasztalható legfontosabb különbségeket, illetve a dél-koreai gyártó saját fejlesztésű GAAFET verzióját is megmutatja, ami az MBCFET nevet viseli.

A bizmut-oxiszelenid körül már régóta folynak a kutatások, az 1 nm alatti csíkszélességek esetében régóta készülnek a bevezetésére, ami nagyrészt annak köszönhető, hogy az új anyag felhasználásával hatékonyan készíthető kétdimenziós félvezető. A bizmut-oxiszelenid alapú megoldások ezen a téren sokkal rugalmasabbak és strapabíróbbak, mint a klasszikus szilícium alapú megoldások, amelyek már 10 nm-es node esetén is csökkentett töltéshordozó-mobilitással rendelkeznek.

A kínai kutatók áttörése nemcsak a félvezetőipar szempontjából fontos, hanem azért is, mert segítségével Kína versenyképesebbé válhat az iparágon belül. A Kína és az Amerikai Egyesült Államok között húzódó geopolitikai feszültség, ami már kereskedelmi háborúvá fajult az elmúlt évek folyamán, erősen behatárolja a kínai félvezetőipar lehetőségeit, hiszen nem férnek hozzá a legmodernebb gyártástechnológiákhoz és gyártóeszközökhöz, legalábbis hivatalosan, így az EUV technológiában rejlő lehetőségeket sem tudják kamatoztatni. Kína éppen ezért nem felzárkózni, hanem előre menekülni próbál a fentihez hasonló kutatások és fejlesztések révén, azaz megpróbálnak új utakra lépni, ami forradalmi áttörésekhez vezethet és jelentősen javíthatja az ország helyzetét.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére