Shop menü

SAMSUNG 840 EVO SSD-K: LEHULL A LEPEL A HIÁNYZÓ INFORMÁCIÓKRÓL

A Samsung tegnapi bejelentése sok olyan érdekességet hallgatott el, amelyekről időközben szerencsére lehullott a lepel. Most ezeket szedjük csokorba.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Samsung 840 EVO SSD-k: lehull a lepel a hiányzó információkról

A Samsung 840 EVO SSD meghajtó családja tegnap mutatkozott be, ám tegnap még több homályos folt is volt a termékek pontos tulajdonságaival kapcsolatban, amelyek azóta szerencsére tisztázódtak. Az új SSD meghajtóknál a Samsung sajtóközleményében 10 nm-es osztályú "3-bit MLC" NAND Flash memóriachipekről tett említést - itt tulajdonképpen 19 nm-es csíkszélességgel készülő, Toggle 2.0 TLC típusú NAND Flash memóriachipekről van szó. A NAND Flash memóriachipek vezérléséről egy Samsung MEX SSD vezérlő gondoskodik.

A másik sarkalatos pont a TurboWrite technológia, amelyről szintén keveset lehetett tudni - eddig. Ez az eljárás az, ami a Samsung 840 EVO SSD meghajtóknál drámai teljesítménynövekedést okoz az írási sebességben. Hogy hogyan is működik? Az alábbiakban kitárgyaljuk.

A TurboWrite technológia és a RAPID üzemmód

A 840 EVO SSD meghajtók adattároló területét TLC NAND Flash memóriachipek adják, a TurboWrite technológiához azonban SLC módban megcímzett, azaz cellánként egy bitnyi adat tárolására képes NAND Flash tárterület áll rendelkezésre. Az egy bitnyi adat tárolására képes NAND Flash tárhely ugyan jelentősen gyorsabb, mint a TLC alapú tárhely, de előbbinél a sebesség a tárhely adattároló kapacitásának rovására megy, ugyanis egy cella csak harmadannyi adat tárolására képes, mint a TLC esetében. Valamit valamiért, ugye.

Maga a TurboWrite technológia egyébként nagyon hasonlít a SanDisk Extreme II-es SSD meghajtói által használt nCache sémához, igaz, a két eljárás között azért kulcsfontosságú különbségek is vannak. A Samsung megoldása tulajdonképpen egy egyszerű írási gyorsítótárnak tekinthető, ugyanis a rendszer minden bejövő, írásra váró adatot gyorsítótáraz, akár folyamatos, akár véletlenszerű írási feladatról van szó. A gyorsítótárazott adatok csak akkor kerülnek végleges helyükre, ha a rendszer üresjáratban ketyeg, kivéve, ha a gyorsítótár megtelik - utóbbi esetben az írásra váró adatokat egyből a fő adattároló területre pakolja az SSD vezérlő. Az írási gyorsítótár kapacitása modelltől függ: a 120 és 250 GB-os modellek maximum 3 GB-nyi adat gyorsítótárazására képesek, a nagyobb adattároló kapacitással gazdálkodó példányok azonban ennél is terebélyesebb írási gyorsítótárat kaptak.

A 840 EVO SSD meghajtók egy második gyorsítótár-réteget is használnak, amit a Samsung SSD Magician szoftvere biztosít. A szoftver által kínált RAPID üzemmódban a Samsung alkalmazása a rendszermemória egy részét is felhasználja az SSD írási teljesítményének növeléséhez. A RAPID üzemmód keretén belül 1 GB-nyi rendszermemóriát foglal le magának az alkalmazás, amelyben a gyakran használt fájlok kapnak helyet annak érdekében, hogy minél gyorsabban el lehessen őket érni, ha szükség van rájuk. Ez a szoftveres vezérléssel működő, rendszermemória-alapú gyosítótár az írási feladatok optimalizálásában is segít: mielőtt az adatok az SSD-re kerülnének, a szoftver úgy keveri a lapokat, hogy a végleges írás a lehető leggyorsabban, a lehető legoptimálisabban menjen végbe. A Samsung bemutatója szerint a RAPID üzemmód komoly teljesítménynövekedést biztosít a 840 EVO család tagjainál, már ami az írási sebességeket illeti, azaz nagyon is életképes - remélhetőleg hamarosan mi is kipróbálhatjuk ezt a szoftveres csodafegyvert.

Jó hír, hogy ez a RAPID üzemmód nem a 840 EVO család kizárólagos kiváltsága lesz: a Samsung az új üzemmódot a 840 Pro SSD meghajtók esetében is elérhetővé teszi. Persze fontos kiemelni, hogy ez az üzemmód csak Windows 7 vagy Windows 8 operációs rendszerek alatt üzemel, akár 840 EVO, akár 840 Pro SSD meghajtóval kívánjuk használni.

Strapabíróság és garanciaidő

Tegnapi hírünkből két további információ is kimaradt, amelyeket szintén most szeretnénk pótolni. A 840 EVO SSD meghajtókban lapuló TLC típusú NAND Flash memóriachipek a Samsung állítása szerint nagyjából 3700 írási/törlési ciklust viselnek el, ami nagyon jól hangzik, mivel 19 nm-es csíkszélességgel készülő példányokról van szó. Ez a strapabíróság főként annak köszönhető, hogy a gyártó csak a legjobb, úgynevezett "SSD szintű" TLC NAND Flash memóriachipeket használja fel SSD meghajtók gyártásához, amelyek a normál NAND Flash memóriachipekhez képest huszadannyi hibás blokkot tartalmaznak. És az utolsó hiányzó információ: a Samsung minden 840 EVO sorozatú SSD meghajtóra 3 év garanciát vállal, csak úgy, mint elődeire.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére