Shop menü

RERAM PROTOTÍPUS AZ ELPIDÁTÓL

Az Elpida – aki napjainkban a világ harmadik legnagyobb DRAM gyártójának minősül – ma bejelentette, hogy elkészült első ReRAM (Resistance Memory RAM) prototípusával, amely 50 nm-es gyártástechnológiával készült és 64 megabites adattároló kapacitással bír. A 64 Mb-es érték igazi különlegességnek minősül, ez ugyanis a ReRAM memóriacella-tömbök esetében manapság elérhető egyik legnagyobb adatsűrűség-értékek.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
ReRAM prototípus az Elpidától

Az Elpida – ami napjainkban a világ harmadik legnagyobb DRAM gyártójának minősül – ma bejelentette, hogy elkészült első ReRAM (Resistance Memory RAM) prototípusával, amely 50 nm-es gyártástechnológiával készült és 64 megabites adattároló kapacitással bír. A 64 Mb-es érték igazi különlegességnek minősül, ez ugyanis a ReRAM memóriacella-tömbök esetében manapság elérhető egyik legnagyobb adatsűrűség-értékek.

A friss ReRAM prototípus kifejlesztésében az Elpida a NEDO-val (New Energy and Industrial Technology Organization) működött együtt. A fejlesztéssel kapcsolatos további munkákba a hírek szerint már a Sharp Corporation, az AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) és a Tokiói Egyetem is bekapcsolódik majd.

Galéria megnyitása
Maga a ReRAM egyébként olyan anyagra épül, ami az elektromos feszültség változásának hatására megváltoztatja ellenállását. Ez az új memóriatípus ún. non-volatile, azaz nem illékony megoldás, ami annyit jelent, hogy az adatokat tápfeszültség nélkül is megőrzi. A ReRAM egyik legvonzóbb tulajdonsága egyébként az, hogy hatalmas sebességgel képes az adatokat olvasni és írni, mindezt pedig rendkívül alacsony feszültség alkalmazása mellett teszi. Napjainkban a DRAM memóriachipek írási/olvasási teljesítmény tekintetében felülmúlják a nem illékony memóriatípusokat – mint amilyen a NAND Flash – ám ahogy megszűnik a tápfeszültség, a bennük tárolt adatok elvesznek.

Itt jön a képbe a ReRAM, amely a két fentebb említett memóriatípus pozitív tulajdonságait próbálja hatékonyan egybegyúrni. A ReRAM a DRAM chipekhez hasonlóan 10 nanoszekundumos írási sebesség elérésére képes, ezzel együtt több, mint egymillió írási/törlési ciklust visel el. Ez utóbbi több, mint tízszer magasabb érték, mint amit a minőségi és drága, SLC típusú NAND Flash memóriachipek esetében az írási/törlési ciklusok tekintetében el lehet érni.

Az Elpida mérnökeinek távolabbi céljai között szerepel, hogy 2013-ban meg szeretnék kezdeni a 30 nm-es csíkszélességgel készülő, gigabites kapacitással rendelkező ReRAM memóriachipek sorozatgyártását. Amennyiben ez az új,  nagy sebességet kínáló, strapabíró memóriatípus olcsón gyártható lesz, úgy hozzájárulhat a memóriachipek fogyasztásának hatékony csökkentéséhez. A hatékony energiafelhasználás mellett üzemelő, olcsó ReRAM ideális lehet adattárolóként okostelefonokba, táblákba, ultravékony noteszgépekbe és minden olyan eszközbe, ahol az újítás által kínált pozitív tulajdonságokra szükség van, iletve, ahol kiemelten fontos az energiatakarékosság és a nagy sebesség.

A vállalat mérnökei a ReRAM fejlesztése mellett továbbra is nagy hangsúlyt fektetnek majd a DRAM gyártástechnológia és a DRAM-hoz kapcsolódó különböző technológiák fejlesztésére, de emellett a ReRAM is egyre nagyobb hangsúlyt kaphat, hiszen ez a memóriatípus egy olyan ígéretes megoldás, amellyel a jövőben helyettesítővé válhatnak a DRAM memóriachipek.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére