Az IBM mérnökei újabb mérföldkőhöz értek, ugyanis a vállalat bejelentése alapján sikeresen elkészítették a félvezetőipar eddigi legkisebb méretű, ehhez képest viszont nagy adatsűrűséggel rendelkező , ún. on-chip (chipre integrált) eDRAM egységet, amely 32 nm-es SOI gyártástechnológiával készült. A friss termék nagyobb sebességet, sokkal fejlettebb energiagazdálkodást és így kedvezőbb fogyasztást, valamint nagy megbízhatóságot kínál a piacon a szerverektől egészen a szórakoztatóelektronikai termékekig minden területen.
A neves gyátó új, SOI (Silicon-on-Isolator) alapú technológiája 30%-kal nagyobb sebességgel rendelkező chipek készítésére ad lehetőséget, ezzel együtt pedig az új eljárásra épülő újdonságok sokkal, akár 40%-kal alacsonyabb energiafelhasználás mellett üzemelnek, mint a korábbi, ún. bulk silicon technológiával készített megoldások. Az IBM teszt chipjén ennek köszönhetően olyan eDRAM memória cella foglalhat helyet, amely a hagyományos megoldásoknál gyorsabb és azoknál nagyobb kapacitást kínál. Az új eDRAM a 22 nm-es beágyazott SRAM chipeknél kétszer, míg a 32 nm-es veágyazott SRAM megoldásoknál négyszer nagyobb adatsűrűséggel bír.
Az IBM 32 nm-es SOI technológiával készülő eDRAM chipje a beágyazott memóriák piacán a világ leggyorsabb megoldásnak minősül, amelynek késleltetése és órajel ciklusának ideje kevesebb, mint 2 ns-os értéket képvisel. Ezzel együtt az új IBM eDRAM négyszer kevesebb készenléti áramot használ fel és akár ezerszer kisebb soft error (elektromos töltések által okozott hiba) ráta mellett dolgozik, mint egy hagyományos SRAM cella.
A vállalat mérnökei a tervek szerint decemberben, az International Electron Devices Meeting névre keresztelt rendezvény alkalmával rántják le a leplet a 32 nm-es és 22 nm-es gyártástechnológiával készülő eDRAM memória cellák pontos specifikációiról és az esetükben alkalmazott újításokról.
